氣隙：存在具有可用磁場的磁體的極之間的空間。

各向異性磁鐵：具有優(yōu)選磁取向的磁體，使得磁特性在一個優(yōu)選方向上合適。

閉路：當(dāng)永磁體外部的磁通路徑限制在構(gòu)成磁體電路的高滲透材料內(nèi)時，存在。

強制力，HC：在磁鐵雷保性飽和之后，在Osteds中測量的去磁力，在oysted中測量，以減少觀察到的誘導(dǎo)，B，零。

居里溫度，TC：基本磁矩的平行對準(zhǔn)完全消失的溫度，并且材料不再能夠保持磁化。

退磁曲線：滯后回路的第二象限，通常描述實際使用中磁特性的行為，也稱為B-H曲線。

柱狀晶體材料：特別是通過熔融材料的受控凝固形成晶體的取向的苜蓿合金。 alnico 700的材料顯示出非常不同的各向異性，其與僅通過在熱處理期間施加磁場產(chǎn)生各向異性的類型形成對比。

偶極領(lǐng)域：在大距離處的磁體領(lǐng)域的首先近似。偶極場僅通過磁矩的方向和量來定義，并且根據(jù)1 / r減小3隨著距離的增加。

偶極矩：看到時刻（磁性）

助焊劑密度B：每單位表面積的場線數(shù)量。單位：1特斯拉= 1 vs / m2= 10-4 vs / cm2（= 10.-4Gau?）

助焊劑，磁性：當(dāng)磁場由場線表示時，通過給定表面的線路總數(shù)被稱為磁通量：作為圍繞該表面的線圈中的電脈沖測量的電脈沖。單位：1韋伯（WB）= 1 vs（= 108Maxwell）。

Helmholtz線圈：經(jīng)典地，一個雙線圈，用于產(chǎn)生極其均勻的領(lǐng)域。兩個線圈之間的距離相當(dāng)于它們的半徑。線圈用于測量磁矩。

滯后環(huán)：通過繪制對應(yīng)的磁感應(yīng)值，B，（在橫坐標(biāo)的磁阻上的磁化力，H（在縱坐標(biāo)上）來獲得材料的閉合曲線。

歸納，B：每單位面積的磁通量正常到通量方向。在高斯測量，在單位的CGS系統(tǒng)中。

內(nèi)在矯頑力，HCI：在CGS系統(tǒng)中的oSerts中測量，這是一種衡量材料抵抗Demagnetiza的固有能力的衡量標(biāo)準(zhǔn)

灰。在飽和后磁性材料中的零內(nèi)在誘導(dǎo)是退磁力的校正力。高HCI值的實際后果在給定類材料的更大溫度穩(wěn)定性中看到了更高的溫度穩(wěn)定性，更大的穩(wěn)定性

動態(tài)操作條件。

不可逆轉(zhuǎn)的損失：定義為由其他因素的外部領(lǐng)域引起的磁鐵的部分退磁。這些損失僅通過重新凝結(jié)來恢復(fù)。磁鐵可以穩(wěn)定以防止由不可逆損失引起的性能的變化。

各向同性：各方向物理性質(zhì)的平等。

J：用于表示磁極化的字符：單位：1 t = 1 vs / m2.

負(fù)載線：從具有B / H的斜率的退磁曲線的原點繪制的線，其中與B-H曲線的交叉點表示磁體的操作點。另見滲透系數(shù)

磁化力，H：每單位長度在磁路中的任何點處的磁影力。在CGS系統(tǒng)中的Osteds中測量。

最 高能源產(chǎn)品，BHMAX：去除曲線上的點，其中B和H的乘積是最 大值，并且將給定能量投入到周圍環(huán)境中所需的所需磁體材料是最小的。在Moga Gauss Oersteds，Mgoe測量。

瞬間，磁性：（也偶極矩）偏振儀的偏振儀和均勻磁化磁鐵的v。在VSM方面表達(dá)的那一刻，對應(yīng)于磁場H在磁場H的磁場H中的磁場H的NM中的機械扭矩（庫侖的磁矩MCoul.）。磁矩直接測量在亥姆霍茲線圈中，與浮動計組合。 （另見SI單位）以前是安培磁矩mamp.通常用作磁化M的乘積和固體的體積V，其中mCoul.=μ.0mamp..

滲透系數(shù)，PC：磁感應(yīng)的比例，BD，其自磁力，HD。 PC = BD / HD。他也被稱為“負(fù)載線”或

磁鐵的操作點，并且可用于估計磁體的磁通量輸出，并且可用于在各種條件下估計磁體的磁通量輸出。作為第 一階近似，BD / HD = LM / LG，其中LM是磁體的長度，并且LG是磁體經(jīng)受磁體的氣隙的長度。因此，PC是磁路幾何形狀的函數(shù)。

徑向磁化：在攜帶相反方向的電流的兩個線圈之間磁化環(huán)磁體導(dǎo)致徑向磁化。然后將一個桿位于磁體的內(nèi)圓周和外圓周上的另一極。

請求，BD：去除施加的磁化力后磁路中發(fā)射的磁感應(yīng)。如果電路中存在氣隙，則剩磁將小于殘余誘導(dǎo)。

剩余歸納，BR：這是滯后環(huán)在零磁化力下交叉B軸的點，并且表示最 大值

磁通量從給定的磁鐵材料輸出。根據(jù)定義，該點發(fā)生在零氣隙處，因此在實際使用中不能看到磁體材料。